第504章 纳米和28纳米的区别(第2页)

 “这么说来，星辰公司是不是在14纳米芯片技术上已经取得了某种程度的进展才让你如此有信心？”

 “虽说没有取得那种颠覆性的突破，但堆叠技术对我们来说并非难事，凭借现有的技术水平，完全有能力将其实现。”

 江辰平静地陈述道。

 在成功完成28纳米制程工艺项目的基础上，孟玉竹就提交了启动14纳米技术研发的申请并获得了批准。

 自那以来，已经过去了一年多时间，期间研发团队在多个技术节点上取得了显着进展。

 只不过貌似走到了尽头，始终没有革命性的突破，14纳米也就无从谈起。

 余总听闻此言，眼神中掠过一抹不易察觉的失望，但很快这抹情绪就被新燃起的兴奋所取代。

 此次造访不仅获取了海外芯片技术的第一手真实情况，更重要的是，让他看到了解决问题的新路径。

 两人磋商了一番，就技术事宜进行了意见交流。

 会谈结束后，余总几乎是迫不及待地站起身来，提出告辞。

 他心中已有了明确的计划，

 送别了对方，江辰看着离去的背影，心里也想着，既然答应接手了芯片技术的问题，那么学术上的研究就得稍稍延后了。

 当他踏入芯片部门，开始深入了解当前项目的进展情况时，一个关键的问题逐渐浮出水面。

 他终于知道了为什么14纳米迟迟无法研发成功。

 原来在28纳米及其以上制程的芯片技术中，广泛采用的是传统的互补金属氧化物半导体工艺，即人们常说的Cmos技术。

 Cmos作为计算机系统内部的核心组件之一，承担着存储系统最基本数据与指令的重任，是电子设备不可或缺的基石。

 然而这项成熟的技术并非没有局限。

 随着科技的不断进步，当制程工艺试图向更精细的14纳米乃至更小尺度推进时，Cmos技术遇到了难以逾越的瓶颈。

 具体而言28纳米成为了Cmos工艺能够有效支撑性能提升的极限点。

 一旦跨越这个界限，进入更高级的制程领域，就必须对晶体管的结构进行根本性的革新。