第370章 MOS(第2页)

或者说，在这方面，从技术和经济角度出发，人们都从来没有青睐过双极型半导体。

intel 4004，10um的pmos。

8008，10um的pmos。

首个4kbit的drAm，8um的nmos。

首个16kbit的drAm，5um的nmos。

大名鼎鼎的8086/8088，3um的nmos。

彻底巩固了intel数十年基业的80286，1.5um的Cmos。

至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了mos技术，那就不得不说mos的优点了。

这玩意工艺简单！比双极型简单得多，不是一星半点那种！
抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以pmos和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。

pmos外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。

而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。

工序更少、工艺更简单、良品率更高
对于量产来说，这些特么可都是钱呐！

而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。

两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的mos甚至要比双极型要低。

mos技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。
在同代次内，更改mos电路的设计，对于mos的工艺没有任何影响，mos电路的性能的改变，是通过改变mos场效应管的几何设计来实现的。

双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是mos电路就不，它的工艺是不变的。

而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了mos集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。

除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、超大规模集成电路上走不远。

——它做不小！但是mos可以！

这个情况的原因很多。

一来，mos管子的面积天生就比双极型要小。

二来，双极型晶体管需要隔离pn结或者隔离井，mos不需要。

第三，mos天生就提供了两层互连，这让它的内部布线更为方便。

mos的这么多优点，又带来了一些系统级别的衍生好处，诸如系统性能更高、设计可预测性更好、可靠性和维护性更好等等。

有趣的是，实际上mos场效应管概念的提出，要比双极型管子早，之所以普及更晚，是受工艺的制约。

这就好像汽车，电动车的概念比蒸汽车、内燃车更早，那是十九世纪末期的事情，但是真正大规模实用，都特么二十一世纪了。

但是工艺这个问题，对高振东来说，问题就不是太大了，他能抄啊！
思前想后，高振东下定了决心：直接跨一大步，就搞mos！

至于双极型的，就留给其他厂所的同志去搞吧，我直接带1274厂起飞！